IBM y Samsung avanzan en desarrollo de nuevo semiconductor

Logran avances en desarrollo de chip con mayor capacidad y eficiencia energética.

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La estadounidense IBM Research y la surcoreana Samsung avanzaron en el desarrollo de una nueva arquitectura de semiconductores en los que cabrán más transistores en menor espacio, por lo que los chips serían más eficientes y poderosos.

De acuerdo con ambas compañías, se trata de un nuevo enfoque llamado Transistor de Efecto de Campo de Nanohojas de Transporte Vertical, o VTFET.

“La nueva arquitectura VTFET demuestra un camino para continuar escalando más allá de las nanohojas. En mayo, anunciamos un diseño de chip de nodo de 2 nanómetros que permitirá que un chip quepa hasta 50 mil millones de transistores en un espacio del tamaño de una uña. VTFET continúa el viaje de la innovación y abre la puerta a nuevas posibilidades.

“VTFET, por otro lado, coloca transistores en capas perpendiculares a la oblea de silicio y dirige el flujo de corriente vertical a la superficie de la oblea. Este nuevo enfoque aborda las barreras de escala al relajar las restricciones físicas sobre la longitud de la puerta del transistor, el grosor del espaciador y el tamaño del contacto para que estas características puedan optimizarse, ya sea por rendimiento o consumo de energía. Con VTFET, hemos logrado demostrar con éxito que es posible explorar la escala más allá de la tecnología de nanohojas en el diseño de semiconductores CMOS”, explicaron las compañías.

De acuerdo con IBM y Samsung, antes los diseñadores empaquetaban más transistores en un chip reduciendo el paso de la puerta y el paso del cableado (el espacio físico donde encajan todos los componentes se denomina Paso de puerta contactada o CGP).

La capacidad de encoger los pasos de puerta y el cableado ha permitido a los diseñadores de circuitos integrados pasar de miles y millones a miles de millones de transistores en sus dispositivos.

Hace una década, ambas compañías observaron que las arquitecturas laterales alcanzarían los límites de escala en pasos de puerta. Explicaron que cada uno de los componentes del dispositivo se acercaba a los límites de escala, por lo que querían encontrar otros caminos que pudieran romper esas barreras.

“Nuestro objetivo siempre ha sido producir un dispositivo competitivo para las tecnologías del futuro. Creemos que el diseño de VTFET representa un gran paso adelante hacia la construcción de transistores de próxima generación que permitirán una tendencia de dispositivos más pequeños, más potentes y energéticamente eficientes en los próximos años”, agregaron.